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还在为驱动电路的设计复杂度和效率问题烦恼吗？DGD2184S8-13正是为您而来的解决方案！这颗高性能半桥栅极驱动器，能轻松、高效地驱动您的IGBT或N沟道MOSFET，其高达2.3A/1.9A的峰值输出电流和极快的开关速度，确保功率器件发挥最佳性能，显著提升系统整体效率。

它拥有10V至20V的宽供电范围、600V的高压侧耐压以及-40°C到150°C的坚固工作能力，让您的产品在工业电源、电机控制等苛刻应用中稳定运行。采用标准的8-SOIC封装，便于您快速布局与生产，是您打造高效、可靠电源系统的理想核心伙伴。

• 型号:DGD2184S8-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:同步
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 20V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，2.5V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.9A，2.3A
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DGD2184S8-13，Diodes产品一站式供应商。