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还在为功率开关器件的驱动效率和安全隔离而烦恼吗？DGD21904MS14-13正是您期待的解决方案。这颗高性能半桥栅极驱动器，能为您精准、高效地驱动IGBT和MOSFET，其高达4.5A的拉灌电流和纳秒级的开关速度，让您的系统开关损耗大幅降低，运行更高效、更凉爽。

它集成了独立的高低压侧驱动通道，支持高达600V的自举电压，为您在电机控制、电源转换等应用中提供强大的隔离驱动能力和设计灵活性。宽广的工作电压与温度范围，确保它在各种严苛环境下稳定可靠，让您轻松构建出更紧凑、更耐用的高性能产品。

• 型号:DGD21904MS14-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:14-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRV HALF-BRIDG 14SO 2.5K
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 20V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，2.5V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4.5A，4.5A
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:25ns，20ns
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:14-SO
• DGD21904MS14-13，Diodes产品一站式供应商。