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还在为驱动大功率MOSFET或IGBT寻找一颗既强劲又可靠的“心脏”吗？DGD21904S14-13半桥栅极驱动器就是您的理想答案。它能为您提供高达4.5A的峰值驱动电流，以超快的开关速度（典型值25ns/20ns）精准控制功率器件，显著提升系统效率并降低开关损耗。

这颗芯片让您的设计工作变得异常轻松。其宽电压供电范围（10V-20V）和高达600V的自举能力，提供了强大的设计灵活性和安全性。独立的双通道与非反相输入逻辑，让您能够高效构建半桥拓扑，轻松应用于电机驱动、电源转换等场景。选择它，就是选择了一个高效、可靠且易于集成的驱动解决方案。

• 型号:DGD21904S14-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:14-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 20V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，2.5V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4.5A，4.5A
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:25ns，20ns
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:14-SO
• DGD21904S14-13，Diodes产品一站式供应商。