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还在为驱动电路的速度和可靠性头疼吗？DGD2190MS8-13就是您的得力助手！这颗高性能半桥栅极驱动器，能同时输出高达4.5A的强大电流，并以纳秒级的开关速度（典型值25ns/20ns）精准控制IGBT或MOSFET，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更快、损耗更低、效率更高。

它内置高达600V的自举电压，轻松应对高压侧驱动的隔离需求，确保系统安全。其宽广的10V至20V供电范围及-40°C ~ 125°C的工作温度，赋予产品卓越的环境适应性与可靠性。采用小巧的8-SOIC封装，让您轻松实现高功率密度设计。选择它，就是为您的产品注入了强劲、可靠且高效的动力核心。

• 型号:DGD2190MS8-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 20V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，2.5V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4.5A，4.5A
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:25ns，20ns
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DGD2190MS8-13，Diodes产品一站式供应商。