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您是否正在寻找一颗能显著提升系统效率、简化设计的P沟道MOSFET？DI9435T正是为您而来。它能在30V的电压环境下，轻松驾驭高达5.3A的连续电流，而其核心魅力在于仅50毫欧的超低导通电阻，这直接意味着更低的传导损耗和更出色的能效表现，让您的设备运行更凉爽、更持久。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松实现高效的负载开关与电源路径管理。其1.4V的低开启阈值，允许它被常见的3.3V或5V逻辑电平直接、高效地驱动，省去复杂的驱动电路，让设计变得异常简洁。无论是用于电池供电设备的电源开关，还是需要防止电流倒灌的保护电路，DI9435T都能以紧凑的8-SO封装，为您提供稳定可靠的性能基石，是追求高性价比与高可靠性的工程师的明智之选。

• 型号:DI9435T
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 5.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:950 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-TSOP（0.130\\
• DI9435T，Diodes产品一站式供应商。