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您正在寻找一颗能同时兼顾高效能与高集成度的功率开关芯片吗？DI9945T正是您的理想选择。这颗双N沟道MOSFET阵列，集成了两个独立的60V/3.5A MOSFET于一个紧凑的8-SOIC封装内，让您轻松实现更精简的电路板设计，节省宝贵空间。

它的核心魅力在于其出色的电气性能：超低的100毫欧导通电阻能显著减少开关过程中的功率损耗，提升整体能效；同时，极低的栅极电荷确保了快速开关响应，让您的系统控制更加敏捷高效。无论是用于DC-DC转换、电机驱动还是负载开关，DI9945T都能提供稳定可靠的性能，助您打造出更具市场竞争力的产品。

• 制造商产品型号：DI9945T
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
• 产品系列：*
• 零件状态：停产
• FET类型：2 N-通道（双）
• FET功能：标准
• 漏源电压（Vdss）：60V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：3.5A
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：100 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：30nC @ 10V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：435pF @ 25V
• 功率-最大值：2W
• 工作温度：-
• 安装类型：表面贴装型
• 封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• DI9945T，Diodes产品一站式供应商。