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还在为复杂的双MOSFET选型和布局烦恼吗？DI9952T为您提供一站式解决方案！这颗来自Diodes Incorporated的集成芯片，巧妙地将N沟道与P沟道MOSFET合二为一，封装于紧凑的8-SOIC之中。它让您轻松实现高达30V的电压切换和2.9A的电流处理能力，极大地简化了您的电路设计。

这意味着，您可以用更少的元件、更小的空间，构建出更高效、更可靠的电源管理或信号开关电路。无论是提升转换效率，还是优化板级布局，DI9952T都能助您一臂之力，让产品开发过程更加顺畅高效。

• 型号:DI9952T
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:-
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8-SOIC
• 系列:*
• 包装:剪切带（CT）
• 产品状态:在售
• FET 类型:-
• 技术:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 供应商器件封装:-
• 封装/外壳:-
• DI9952T，Diodes产品一站式供应商。