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还在为复杂的双MOSFET布局和性能匹配头疼吗？DMC1016UPD-13为您提供了一站式的高效解决方案。这颗高度集成的N和P沟道MOSFET阵列，能让您轻松实现紧凑、高效的同步整流或负载开关电路设计，大幅节省宝贵的PCB空间。

它拥有出色的电气特性：高达9.5A的持续电流能力配合仅17毫欧的超低导通电阻，确保功率传输过程中的损耗降至最低，让您的系统运行更凉爽、能效更高。同时，其快速的开关性能（Qg仅32nC）和宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），使其能够从容应对从消费电子到汽车电子的各种严苛应用场景，是您提升产品功率密度和可靠性的理想选择。

• 型号:DMC1016UPD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 12V 9.5A PWRDI50
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:12V，20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.5A，8.7A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:17 毫欧 @ 11.8A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32nC @ 8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1454pF @ 6V
• 功率 - 最大值:2.3W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• DMC1016UPD-13，Diodes产品一站式供应商。