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您是否正在寻找一颗能同时驾驭N沟道和P沟道任务，为汽车电子系统提供紧凑、高效开关解决方案的芯片？DMC1017UPD-13正是为此而生。这颗双MOSFET阵列将互补型N和P沟道器件集成于微型8-PowerTDFN封装，让您轻松实现推挽输出、电平转换或负载开关等关键电路，大幅节省板卡空间，简化您的设计布局。

它拥有12V的耐压和最高13A的连续电流处理能力，配合低至17毫欧的导通电阻，确保驱动负载时高效有力，功耗与发热却显著降低。其汽车级（AEC-Q101）品质和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），赋予您应对严苛环境挑战的十足信心，是提升车身控制、电源管理等模块可靠性与性能的得力助手。

• 型号:DMC1017UPD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 12V 13A PWRDI50
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:12V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Ta），9.4A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:17 毫欧 @ 11.8A，4.5V，32 毫欧 @ 8.9A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18.6nC @ 4.5V，23.7nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1787pF @ 6V，2100pF @ 6V
• 功率 - 最大值:2.3W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• DMC1017UPD-13，Diodes产品一站式供应商。