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DMC1028UFDB-13 零件图片(仅供参考)

DMC1028UFDB-13
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DMC1028UFDB-13 规格参数

还在为空间有限的电路板寻找高性能的功率开关方案吗?DMC1028UFDB-13正是为您而来的解决方案。这颗由Diodes Incorporated推出的N和P沟道MOSFET阵列,能轻松胜任12V/20V系统中的电源管理、信号切换与负载驱动任务,让您的设计事半功倍。

它集成了卓越的电气特性:高达6A的驱动能力配合仅25毫欧的低导通电阻,能显著降低功率损耗,提升整体能效;而极低的栅极电荷则确保了快速开关,响应迅捷。其紧凑的6-UDFN封装,为您节省每一毫米的宝贵空间,同时宽广的工作温度范围让产品适应力更强。选择DMC1028UFDB-13,就是为您的设备选择了一颗高效、可靠且节省空间的核心动力。

  • 型号:DMC1028UFDB-13
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:U-DFN2020-6(B 类)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET N/P-CH 12V/20V 6A 6UDFN
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 配置:N 和 P 沟道
  • FET 功能:-
  • 漏源电压(Vdss):12V,20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A,3.4A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):25 毫欧 @ 5.2A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):18.5nC @ 8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):787pF @ 6V
  • 功率 - 最大值:1.36W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
  • 供应商器件封装:U-DFN2020-6(B 类)
  • DMC1028UFDB-13,Diodes产品一站式供应商。
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DMC1028UFDB-13 基本参数:

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