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您是否正在寻找一颗能同时驾驭N沟道和P沟道，在紧凑空间内实现高效电源切换的“全能选手”？DMC1028UFDB-7正是为此而来。这颗双MOSFET阵列芯片，让您轻松应对同步整流、电机控制及负载开关等复杂电路，其卓越的低导通电阻与栅极电荷特性，能大幅提升系统效率，减少能量浪费。

凭借12V/20V的耐压和最高6A的连续电流能力，它能在从便携设备到工业控制的广泛场景中稳定工作。超小的6-UDFN封装为您节省每一寸电路板空间，而宽广的工作温度范围则确保了在各种环境下的可靠性。选择它，就是为您的设计注入高效与可靠的双重保障。

• 型号:DMC1028UFDB-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 12V/20V 6A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:12V，20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A，3.4A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 5.2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18.5nC @ 8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:787pF @ 6V
• 功率 - 最大值:1.36W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（B 类）
• DMC1028UFDB-7，Diodes产品一站式供应商。