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还在为空间有限的电路板寻找高性能的开关解决方案吗？DMC1029UFDB-7就是您的答案。这颗双通道MOSFET阵列芯片，集成了N沟道和P沟道，能轻松胜任您产品中的电源路径管理、电机驱动或信号切换等关键任务。

它让您以极低的导通损耗（仅29毫欧）控制高达5.6A的电流，显著提升能效，减少发热。同时，其微小的6-UDFN封装为您释放宝贵的PCB空间，让设计更紧凑。无论是提升便携设备的续航，还是增强系统的响应速度，DMC1029UFDB-7都能以高效、可靠的表现为您的产品赋能。

• 型号:DMC1029UFDB-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 12V 5.6A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:12V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.6A，3.8A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:29 毫欧 @ 5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19.6nC @ 8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:914pF @ 6V
• 功率 - 最大值:1.4W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（B 类）
• DMC1029UFDB-7，Diodes产品一站式供应商。