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您是否希望一颗芯片就能轻松搞定正负电压的智能切换与高效控制？DMC1030UFDBQ-13正是为您而来的解决方案。它将一个N沟道和一个P沟道MOSFET集成于微小的UDFN2020封装内，为您提供高达5.1A的负载驱动能力和仅34毫欧的超低导通电阻，显著降低开关损耗和发热，让您的系统运行更凉爽、更高效。

这颗芯片能为您做什么？它让您在设计电机驱动、负载开关或电源分配电路时，大幅简化布局，节省宝贵空间。其12V的耐压和汽车级（AEC-Q101）认证，确保它在严苛环境下依然稳定可靠，是提升车载电子、便携设备能效与可靠性的理想选择。选择它，就是选择了一种更简洁、更强劲、更可靠的设计方式。

• 型号:DMC1030UFDBQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 12V 5.1A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:12V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.1A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:34 毫欧 @ 4.6A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23.1nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1003pF @ 6V
• 功率 - 最大值:1.36W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（B 类）
• DMC1030UFDBQ-13，Diodes产品一站式供应商。