我们为全球各个行业提供Diodes DMC1030UFDBQ-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为空间有限的PCB板寻找一颗既能扛大电流又高效节能的“全能型”开关吗？DMC1030UFDBQ-7正是为您而来的解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的N和P沟道互补MOSFET，能在12V电压下持续提供高达5.1A的电流，而其超低的34毫欧导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的设备运行更凉爽，电池续航更持久。

它专为高效开关而优化，极低的栅极电荷（仅23.1nC）让开关速度飞快，轻松提升系统整体响应效率。无论是用于电源负载开关、电机驱动控制还是信号切换，它都能让您的设计更加简洁高效。其紧凑的6-UDFN封装（约2.0mm x 2.0mm）几乎不占空间，是追求极致小型化产品的理想选择。

更值得一提的是，它拥有AEC-Q101车规级认证，工作温度范围宽达-55°C至150°C，这意味着它不仅适用于消费电子产品，更能轻松应对汽车电子应用的严苛环境要求。选择DMC1030UFDBQ-7，就是为您的产品选择了一份从消费级到车规级的可靠与高性能保障。

• 型号:DMC1030UFDBQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 12V 5.1A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:12V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.1A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:34 毫欧 @ 4.6A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23.1nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1003pF @ 6V
• 功率 - 最大值:1.36W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（B 类）
• DMC1030UFDBQ-7，Diodes产品一站式供应商。