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还在为复杂的双通道开关电路寻找最佳解决方案吗？DMC1229UFDB-7将一颗集成的N沟道和P沟道MOSFET送到您手中，让您轻松实现高效的负载开关与电源路径管理。它能够以最低的导通损耗（仅29毫欧）处理高达5.6A的连续电流，显著减少热量产生，提升系统能效。

这颗芯片专为空间受限且要求严苛的应用而生。其超小的U-DFN2020-6封装，为您节省宝贵的电路板空间，同时其宽广的-55°C至150°C工作结温范围和汽车级(AEC-Q101)认证，确保了在恶劣环境下的卓越可靠性。无论是用于便携设备电池保护，还是汽车电子中的功率分配，DMC1229UFDB-7都能让您的设计更紧凑、更高效、更稳健。

• 型号:DMC1229UFDB-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 12V 5.6A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:-
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:12V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.6A，3.8A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:29 毫欧 @ 5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19.6nC @ 8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:914pF @ 6V
• 功率 - 最大值:1.4W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（B 类）
• DMC1229UFDB-7，Diodes产品一站式供应商。