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还在为复杂的双MOSFET布局而烦恼吗？DMC2004VK-7为您提供一站式解决方案！这颗高度集成的N沟道与P沟道MOSFET阵列，封装在微小的SOT-563中，让您轻松实现紧凑电路板上的高效电源路径管理和信号切换。

它拥有20V的耐压和最高670mA的负载能力，逻辑电平门控让您可以直接用MCU驱动，大幅简化设计。其优异的导通特性（低至550mΩ）和宽温工作范围，确保您的应用从便携设备到工业控制都能高效、稳定运行。选择它，就是选择效率与可靠性的双重保障。

• 型号:DMC2004VK-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-563
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 20V 0.67A SOT563
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):670mA，530mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:150pF @ 16V
• 功率 - 最大值:450mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-563，SOT-666
• 供应商器件封装:SOT-563
• DMC2004VK-7，Diodes产品一站式供应商。