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还在为电源管理电路的空间和效率问题烦恼吗？让DMC2025UFDB-13来为您解决！这颗来自Diodes Incorporated的互补MOSFET阵列芯片，集N沟道与P沟道于一身，采用超紧凑的U-DFN2020-6封装，能为您节省高达50%的PCB面积，是便携设备小型化设计的秘密武器。

它的核心价值在于让您的系统运行更高效、更冷静。N沟道仅25毫欧、P沟道75毫欧的低导通电阻，大幅降低了功率损耗，直接提升电池续航。同时，其优异的开关特性（低栅极电荷）让电源转换更快更顺滑。无论是用于DC-DC转换、负载开关还是电池管理，它都能轻松应对，确保您的设备性能强劲且稳定可靠。

• 型号:DMC2025UFDB-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 20V 6A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Ta），3.5A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V，75 毫欧 @ 2.9A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A，1.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.3nC @ 10V，15nC @ 8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:486pF @ 10V，642pF @ 10V
• 功率 - 最大值:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（B 类）
• DMC2025UFDB-13，Diodes产品一站式供应商。