还在寻找一颗能同时满足高效率、小体积和汽车级可靠性的双MOSFET吗?DMC2038LVTQ-7就是您的理想之选。这颗芯片内置N和P沟道MOSFET,支持1.8V逻辑电平直接驱动,让您能轻松对接最新的低功耗MCU,简化系统设计,显著降低整体功耗。
它拥有极低的导通电阻(最低35毫欧)和出色的电流处理能力(最高3.7A),能大幅减少开关过程中的功率损耗,让您的设备运行更凉爽、续航更持久。其紧凑的TSOT-26封装,为您节省宝贵的电路板空间,助力实现更小巧的产品设计。选择它,就是为您的产品注入了高效与可靠的核心动力。
- 型号:DMC2038LVTQ-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:TSOT-23-6
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH 20V 3.7A TSOT23-6
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:不适用于新设计
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 配置:N 和 P 沟道互补型
- FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动
- 漏源电压(Vdss):20V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.7A(Ta),2.6A(Ta)
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):35 毫欧 @ 4A,4.5V,74 毫欧 @ 3A,4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):5.7nC @ 4.5V,10nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):530pF @ 10V,705pF @ 10V
- 功率 - 最大值:800mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
- 供应商器件封装:TSOT-23-6
- DMC2038LVTQ-7,Diodes产品一站式供应商。