我们为全球各个行业提供Diodes DMC2057UVT-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您是否正在寻找一颗能同时驾驭N沟道和P沟道，在紧凑空间内实现高效电源与信号控制的芯片？DMC2057UVT-13正是为您而来。这颗来自Diodes Incorporated的互补MOSFET阵列，集高性能与微型化于一身，旨在让您的设计更上一层楼。

它能让您轻松实现高效的负载开关和电机驱动。凭借20V的耐压和最高4A的连续电流能力，配合低至42毫欧的优异导通电阻，它能显著降低导通损耗，提升系统整体能效，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。其超低的栅极电荷确保快速开关，响应迅捷。

采用先进的TSOT-26封装，它为您节省了至关重要的电路板空间，非常适合空间受限的便携式电子产品。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）更提供了坚实的可靠性保障，让您的产品无惧各种环境挑战。

• 型号:DMC2057UVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 20V 4A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Ta），3.3A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:42 毫欧 @ 5A，4.5V，70 毫欧 @ 3.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A，1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.5nC @ 10V，6.5nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:416pF @ 10V，536pF @ 10V
• 功率 - 最大值:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-26
• DMC2057UVT-13，Diodes产品一站式供应商。