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还在为电路板空间捉襟见肘而烦恼吗？DMC2400UV-7为您带来颠覆性的集成解决方案。这颗双MOSFET阵列芯片，将N沟道和P沟道晶体管合二为一，采用超紧凑的SOT-563封装，能为您节省高达50%的宝贵PCB面积，让您的设计更加小巧精致。

它不仅仅节省空间，更能大幅提升系统性能。其逻辑电平门控特性（Vgs(th)最大仅900mV）让您可以直接使用3.3V或5V的微控制器信号轻松驱动，无需额外的电平转换电路，设计更简单。同时，低至480毫欧的导通电阻和极低的栅极电荷，确保了高效的功率传输与快速的开关响应，能显著降低功耗，延长电池设备的续航时间。

无论是用于负载开关、电源路径管理还是信号切换，DMC2400UV-7都能让您的产品运行更高效、更可靠。选择它，就是选择了一种更智能、更集成的设计未来。

• 型号:DMC2400UV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-563
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 20V SOT563
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.03A，700mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:480 毫欧 @ 200mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.5nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:37.1pF @ 10V
• 功率 - 最大值:450mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-563，SOT-666
• 供应商器件封装:SOT-563
• DMC2400UV-7，Diodes产品一站式供应商。