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还在为复杂的双MOSFET布局和选型头疼吗？DMC25D0UVT-13为您提供一站式解决方案！这颗芯片将25V N沟道与30V P沟道MOSFET集成于微型TSOT-26封装内，让您轻松实现高效率的互补开关和电源管理，极大简化PCB设计，节省宝贵空间。

它拥有高达3.2A的驱动能力和低至4欧姆的导通电阻，能显著降低功耗与发热，提升系统整体能效。同时，其极低的栅极电荷确保快速开关响应，是电池供电设备、负载开关和信号路径控制的理想选择。选择它，就是选择让您的产品更紧凑、更高效、更可靠。

• 型号:DMC25D0UVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:25V，30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):400mA，3.2A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 欧姆 @ 400mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.7nC @ 8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:26.2pF @ 10V
• 功率 - 最大值:1.2W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-23-6
• DMC25D0UVT-13，Diodes产品一站式供应商。