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还在为电路板空间捉襟见肘而发愁吗？DMC2710UV-13就是您梦寐以求的空间节省大师与能效专家。这颗双路互补MOSFET阵列，采用前沿的SOT-563微型封装，能轻松嵌入您最紧凑的设计中，为您释放宝贵的布局空间。

它集成了N和P沟道MOSFET，拥有20V的耐压和最高1.1A的驱动能力，配合低至400毫欧的导通电阻和极低的栅极电荷，能显著降低开关损耗和导通压降。这意味着，无论是用于电源切换、电机驱动还是信号控制，它都能让您的系统运行得更高效、更凉爽，从而有效延长电池续航，提升产品整体性能与可靠性。

选择DMC2710UV-13，就是选择了一种让设计更简洁、让产品更具竞争力的智能方案。它能帮助您轻松应对各种高密度集成的挑战，是打造下一代便携式、可穿戴及物联网设备的理想核心器件。

• 型号:DMC2710UV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-563
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 20V 1.1A SOT563
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.1A（Ta），800mA（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V，700 毫欧 @ 430mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.6nC @ 4.5V，0.7nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:42pF @ 16V，49pF @ 16V
• 功率 - 最大值:460mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-563，SOT-666
• 供应商器件封装:SOT-563
• DMC2710UV-13，Diodes产品一站式供应商。