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还在为复杂的双MOSFET电路布局而头疼吗？DMC2710UVT-7为您提供一站式解决方案！这颗芯片将N沟道和P沟道MOSFET精巧地集成于微小的TSOT-26封装内，让您轻松实现高效的互补推挽或桥式驱动，大幅节省宝贵的PCB空间。

它能为您做什么？凭借低至400mΩ的导通电阻和极低的栅极电荷，DMC2710UVT-7能显著降低开关损耗和驱动功耗，让您的便携设备续航更持久，系统运行更凉爽。无论是用于负载开关、电源路径管理还是电机控制，它都能提供高达1.2A的连续电流能力和宽达-55°C至150°C的工作温度范围，确保在各种应用场景下都稳定可靠，助您打造出更高效、更紧凑的终端产品。

• 型号:DMC2710UVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 20V 1.2A TSOT23-6
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.2A（Ta），900mA（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V，700 毫欧 @ 430mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.6nC @ 4.5V，0.7nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:42pF @ 16V，49pF @ 16V
• 功率 - 最大值:500mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-23-6
• DMC2710UVT-7，Diodes产品一站式供应商。