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DMC2990UDJQ-7B 零件图片(仅供参考)

DMC2990UDJQ-7B
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DMC2990UDJQ-7B 规格参数

您是否正在寻找一颗能大幅节省电路板空间,同时提供稳定高效开关性能的解决方案?DMC2990UDJQ-7B正是您的理想之选。这颗来自Diodes Incorporated的汽车级(AEC-Q101)互补MOSFET阵列,将N沟道和P沟道MOSFET集成于微型的SOT-963封装内,让您轻松实现紧凑型设计。

它能为您做什么?它让您高效地管理电源路径和信号切换。凭借20V的漏源电压、低至990毫欧的导通电阻和极低的栅极电荷,它能显著减少功率损耗,提升系统效率。其宽广的-55°C至150°C工作温度范围,确保了在各种严苛环境下的可靠运行。无论是驱动小型负载还是进行精密逻辑控制,DMC2990UDJQ-7B都能以卓越的性能,成为您便携式设备、汽车电子或IoT应用的强大心脏。

  • 型号:DMC2990UDJQ-7B
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-963
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET N/P-CH 20V 0.45A SOT963
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 配置:N 和 P 沟道互补型
  • FET 功能:-
  • 漏源电压(Vdss):20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):450mA(Ta),310mA(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):990 毫欧 @ 100mA,4.5V,1.9 欧姆 @ 100mA,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):0.5nC @ 4.5V,0.4nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):27.6pF @ 15V,28.7pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:350mW(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOT-963
  • 供应商器件封装:SOT-963
  • DMC2990UDJQ-7B,Diodes产品一站式供应商。
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DMC2990UDJQ-7B 基本参数:

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