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还在寻找一颗能同时兼顾高功率、高效率与迷你尺寸的驱动核心吗？DMC3016LDV-13正是您的理想之选。这颗汽车级双MOSFET阵列，集成了N和P沟道，能轻松处理30V电压和21A电流，其超低的导通电阻（最低12毫欧）能显著减少功率损耗，让您的系统运行更高效、更凉爽。

它采用先进的8-PowerVDFN超薄封装，为您在空间紧张的设计中释放无限可能。无论是驱动电机、管理电源路径，还是作为高速开关，它都能在-55°C到150°C的严苛环境下稳定工作。选择它，就是为您的产品注入了强劲、可靠且节省空间的心脏，让复杂设计变得前所未有的轻松。

• 型号:DMC3016LDV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 21A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc），15A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 7A，10V，25 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.5nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1184pF @ 15V，1188pF @ 15V
• 功率 - 最大值:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8
• DMC3016LDV-13，Diodes产品一站式供应商。