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还在为电路板空间紧张和驱动效率不高而烦恼吗？DMC3016LDV-7这颗双MOSFET阵列芯片，正是为您的高密度应用量身打造的解决方案。它将一个N沟道和一个P沟道MOSFET集成在微小的PowerDI333封装内，让您轻松实现高效的互补推挽输出或独立的负载开关控制，显著节省宝贵的PCB面积。

这颗芯片能为您做什么？它凭借低至12毫欧的导通电阻和高达21A的电流处理能力，大幅降低开关损耗和发热，让您的系统运行更凉爽、更高效。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）和车规级AEC-Q101认证，更是为您面向汽车电子或工业控制等严苛环境的应用提供了坚实的可靠性保障。选择DMC3016LDV-7，就是选择用一颗芯片简化设计、提升性能，让您的产品更具竞争力。

• 型号:DMC3016LDV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 21A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc），15A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 7A，10V，25 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.5nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1184pF @ 15V，1188pF @ 15V
• 功率 - 最大值:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8
• DMC3016LDV-7，Diodes产品一站式供应商。