我们为全球各个行业提供Diodes DMC3016LNS-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为复杂的双MOSFET布局和散热头疼吗？DMC3016LNS-13为您提供一站式高效解决方案。这颗车规级互补MOSFET阵列，将N沟道和P沟道高性能晶体管集成于微小的8-PowerVDFN封装内，让您轻松实现紧凑、高效的同步整流或半桥拓扑设计。

它凭借低至16毫欧的导通电阻和9.5nC的栅极电荷，能显著降低开关损耗和导通损耗，提升系统整体能效。无论是处理高达9A的连续电流，还是在-55°C至150°C的严苛环境下稳定运行，它都游刃有余。选择它，就是选择让您的电源管理设计更简单、更可靠、更具竞争力。

• 型号:DMC3016LNS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 9A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Ta），6.8A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 7A，10V，28 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.5nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1184pF @ 15V，1188pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8
• DMC3016LNS-13，Diodes产品一站式供应商。