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还在为复杂的双MOSFET选型和布局烦恼吗？DMC3018LSD-13为您提供一站式高效解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的MOSFET阵列芯片，将性能强劲的N沟道（9.1A）与P沟道（6A）MOSFET集成于微小的8-SOIC封装内，让您轻松实现紧凑的电路设计。

它专为逻辑电平驱动优化，可直接用低压信号高效控制，显著简化您的驱动电路。其极低的导通电阻（最低20毫欧）和栅极电荷，能大幅降低导通与开关损耗，从而提升系统整体能效，并有效控制温升。无论是用于电源转换、电机控制还是负载开关，它都能让您的产品运行更高效、更可靠。

• 型号:DMC3018LSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 9.1A/6A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.1A，6A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 6.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.4nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:631pF @ 15V
• 功率 - 最大值:2.5W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DMC3018LSD-13，Diodes产品一站式供应商。