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还在为寻找一颗既能简化布局又能提升效率的功率开关而烦恼吗？DMC3021LK4-13正是您期待的答案。这颗来自Diodes Incorporated的N和P沟道MOSFET阵列，采用创新的共漏结构，将两个逻辑电平驱动的MOSFET集成于紧凑的TO-252-4L封装内，让您轻松实现更精简、更高效的电路设计。

它能在30V电压下分别承载9.4A和6.8A的连续电流，凭借低至21毫欧的导通电阻，大幅降低导通损耗，提升整体能效。同时，其快速的开关特性（低栅极电荷和输入电容）与宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保您的产品无论是面对高频开关电源、电机驱动还是负载管理应用，都能稳定可靠地运行，助您轻松攻克能效与空间的双重挑战。

• 型号:DMC3021LK4-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-4L
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 9.4A TO252-4L
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道，共漏
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.4A，6.8A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:21 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.4nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:751pF @ 10V
• 功率 - 最大值:2.7W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab)
• 供应商器件封装:TO-252-4L
• DMC3021LK4-13，Diodes产品一站式供应商。