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还在为寻找一颗既能简化设计又能提升性能的功率开关而四处寻觅吗？DMC3021LSD-13正是您期待的答案。这颗高度集成的N沟道与P沟道MOSFET阵列，专为逻辑电平驱动优化，让您能轻松地用微控制器的信号直接、高效地控制功率路径。

它凭借30V的耐压和最高8.5A的电流能力，为您在DC-DC转换、电机驱动等应用中提供强劲而可靠的开关性能。其超低的导通电阻和栅极电荷，显著降低了功耗和发热，让您的系统运行更凉爽、效率更高。选择它，就是选择了一条通往更紧凑、更高效、更可靠产品设计的捷径。

• 型号:DMC3021LSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A，7A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:21 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.1nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:767pF @ 10V
• 功率 - 最大值:2.5W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DMC3021LSD-13，Diodes产品一站式供应商。