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还在为电路板空间紧张和驱动效率低下而头疼吗？DMC3021LSDQ-13正是为您解忧的利器。这颗由Diodes Incorporated出品的N和P沟道MOSFET阵列，集双通道于一身，让您轻松实现更紧凑的布局设计。

它拥有30V的耐压和最高8.5A的持续电流能力，配合低至21毫欧的导通电阻，能显著降低功率损耗，提升系统能效。其逻辑电平门（低至2.1V开启）特性，让您可以直接用微控制器驱动，简化电路，让设计更高效。

无论是用于电源转换、电机控制还是负载开关，DMC3021LSDQ-13都能以出色的性能和可靠的品质，助您打造更具市场竞争力的产品。

• 型号:DMC3021LSDQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A，7A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:21 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.1nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:767pF @ 10V
• 功率 - 最大值:2.5W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DMC3021LSDQ-13，Diodes产品一站式供应商。