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还在为复杂的双MOSFET选型和布局头疼吗？DMC3025LDV-13为您提供了一站式的高效解决方案。这颗集成了N和P沟道的15A功率MOSFET阵列，以其仅25毫欧的超低导通电阻，让您轻松实现更低的传导损耗和更高的系统效率。

它不仅能简化您的电路设计，减少元件数量，其优化的开关特性（低至4.6nC的栅极电荷）更能助力提升开关频率，让您的电源或电机驱动应用响应更迅捷、运行更凉爽。选择它，就是为您的汽车级或高性能工业应用注入一颗强劲而可靠的心脏。

• 型号:DMC3025LDV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UXC 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 15A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.6nC @ 4.5V，9.5nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:500pF @ 15V，1188pF @ 15V
• 功率 - 最大值:-
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UXC 类）
• DMC3025LDV-13，Diodes产品一站式供应商。