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还在为电路板空间紧张和双极性信号控制复杂而头疼吗？DMC3025LSD-13正是您的理想解决方案。这颗芯片将高性能的N沟道和P沟道MOSFET集成于一个微小的8-SOIC封装内，能轻松为您处理正负电压的切换与驱动任务。

凭借其逻辑电平门控、低导通电阻和快速的开关特性，它能直接对接您的MCU，让您高效控制电机、管理电源路径或驱动负载，同时大幅降低功耗与热量。选择它，意味着您选择了一条更简洁、更可靠的设计路径，助您的产品在性能和成本上赢得双重优势。

• 型号:DMC3025LSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A，4.2A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 7.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.8nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:501pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.2W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DMC3025LSD-13，Diodes产品一站式供应商。