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还在为寻找一颗既能简化设计又能提升性能的功率开关而四处寻觅吗？DMC3026LSD-13就是您期待的答案。这颗集成了N和P沟道的互补型MOSFET阵列，能轻松胜任电机驱动、电源路径管理和信号切换等关键任务，让您的电路布局更加简洁高效。

凭借其低至25毫欧的导通电阻和极低的栅极电荷，它能显著降低开关损耗和导通损耗，直接提升您的系统整体能效。高达30V的耐压和超过6A的持续电流能力，为您的中小功率应用提供了充沛的动力和安心的保障。选择它，就是选择了一种让设计更轻松、让产品更可靠的智能方式。

• 型号:DMC3026LSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 8.2A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.2A（Ta），8A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 6A，10V，28 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6nC @ 4.5V，10.9nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:641pF @ 15V，1241pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.6W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DMC3026LSD-13，Diodes产品一站式供应商。