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还在为电路板空间紧张和双路驱动设计繁琐而烦恼吗？DMC3028LSD-13为您提供一站式高效解决方案！这颗集成了N沟道与P沟道MOSFET的阵列芯片，拥有30V耐压和超过6.5A的电流处理能力，让您轻松实现同步整流、电机H桥驱动等关键功能。

其逻辑电平门控特性可直接对接MCU，极大简化您的驱动电路设计。同时，优异的低导通电阻（仅28mΩ）和低栅极电荷，能显著降低开关损耗与发热，提升系统整体能效和可靠性。采用紧凑的8-SOIC封装，是您追求高性能、高密度设计的理想选择。

• 型号:DMC3028LSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.6A，6.8A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.5nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:472pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.8W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DMC3028LSD-13，Diodes产品一站式供应商。