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还在为复杂的双MOSFET电路布局头疼吗？DMC3035LSD-13为您提供一站式高效解决方案。这颗集成了N沟道和P沟道MOSFET的阵列芯片，能让您轻松实现精准的电源开关控制与电机驱动。其逻辑电平门控特性，让您可以直接用微处理器驱动，省去额外电路，设计从未如此简洁。

它凭借高达6.9A的承载能力和低至35毫欧的导通电阻，确保能量高效传输，损耗极小。紧凑的8-SOIC封装，为您大幅节省宝贵的电路板空间，让产品设计更小巧、更集成。选择它，就是选择让您的项目更高效、更可靠地快速落地。

• 型号:DMC3035LSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 6.9A/5A 8SOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.9A，5A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 6.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.6nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:384pF @ 15V
• 功率 - 最大值:2W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOP
• DMC3035LSD-13，Diodes产品一站式供应商。