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DMC3036LSD-13 零件图片(仅供参考)

DMC3036LSD-13
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DMC3036LSD-13 规格参数

还在为复杂的双MOSFET选型和布局头疼吗?DMC3036LSD-13为您提供一站式解决方案!这颗集成N沟道和P沟道的MOSFET阵列,让您轻松实现高效的同步整流、负载切换或电机驱动。其30V的耐压和高达5A的驱动能力,足以应对大多数紧凑型设备的功率需求。

更令人心动的是它的易用性。作为逻辑电平器件,它可以直接由您的MCU或低电压逻辑电路驱动,无需复杂的电平转换,大大简化了您的电路设计。极低的导通电阻意味着更少的能量损耗和发热,让您的系统运行更凉爽、更高效。选择它,就是选择了一个让设计变简单、让性能更出色的得力助手。

  • 型号:DMC3036LSD-13
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:8-SOP
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 配置:N 和 P 沟道
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A,4.5A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):36 毫欧 @ 6.9A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):7.9nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):431pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:1.5W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOP
  • DMC3036LSD-13,Diodes产品一站式供应商。
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DMC3036LSD-13 基本参数:

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