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您正在寻找一颗能“以一当二”、在方寸之间释放强劲动力的芯片吗？DMC3060LVT-7正是为此而生。这颗集成了N和P沟道的互补MOSFET阵列，就像一个高度协同的双引擎，让您能在单颗芯片上轻松实现高效的负载开关、电源路径管理和电机驱动等功能。

它拥有高达30V的耐压和数安培的电流驱动能力，配合极低的导通电阻，能显著减少功率损耗和发热，直接提升您终端产品的能效与可靠性。其紧凑的TSOT-26封装专为空间敏感的设计优化，助您轻松应对高集成度的板卡布局挑战。

无论是提升便携设备的续航，还是强化工业模块的稳定性，DMC3060LVT-7都能以卓越的性能和可靠性，成为您设计中不可或缺的高效动力核心。

• 型号:DMC3060LVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 3.6A TSOT23-6
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.6A（Ta），2.8A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 3.1A，10V，95 毫欧 @ 2.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A，2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.3nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:395pF @ 15V，324pF @ 15V
• 功率 - 最大值:830mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-23-6
• DMC3060LVT-7，Diodes产品一站式供应商。