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还在为电路板空间紧张而妥协性能吗？DMC3400SDW-7这颗集成了N沟道和P沟道MOSFET的阵列芯片，就是您突破设计瓶颈的利器。它能为您在极小的SOT-363封装内，轻松实现高效的电源路径管理、负载切换和信号转换，让您的便携式设备设计更紧凑，运行更高效。

凭借30V的耐压和最高650mA的电流能力，它能为TWS耳机、智能穿戴等设备提供可靠的保护与驱动。其低导通电阻和低栅极电荷特性，显著降低了开关损耗，直接帮助您提升系统能效，延长电池续航。选择它，就是选择了一种让设计更简单、让产品更具竞争力的智能方案。

• 型号:DMC3400SDW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 0.65A SOT363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):650mA，450mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 590mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.6V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.4nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:55pF @ 15V
• 功率 - 最大值:310mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装:SOT-363
• DMC3400SDW-7，Diodes产品一站式供应商。