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DMC4015SSD-13 零件图片(仅供参考)

DMC4015SSD-13
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DMC4015SSD-13 规格参数

还在为复杂的双MOSFET电路设计而头疼吗?DMC4015SSD-13为您提供了一站式的高效解决方案。它将一个N沟道和一个P沟道逻辑电平MOSFET集成在微小的8-SOIC封装内,让您轻松实现紧凑、高效的电路布局。

这颗芯片能为您做什么?它凭借40V的耐压和最高8.6A的电流能力,成为DC-DC转换、电机驱动和电源开关应用的理想选择。其极低的导通电阻(最低仅15毫欧)和优化的开关特性,能显著降低导通与开关损耗,直接提升您的系统能效,减少发热,让设备运行更凉爽、更持久。

无论是提升便携设备的续航,还是强化工业模块的可靠性,DMC4015SSD-13都能以卓越的电气性能和坚固的耐用性(工作结温高达150°C),助您轻松打造更具市场竞争力的产品。

  • 型号:DMC4015SSD-13
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:8-SO
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET N/P-CH 40V 8.6A/6.2A 8SO
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 配置:N 和 P 沟道
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss):40V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.6A,6.2A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):15 毫欧 @ 3A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):40nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1810pF @ 20V
  • 功率 - 最大值:1.2W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SO
  • DMC4015SSD-13,Diodes产品一站式供应商。
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DMC4015SSD-13 基本参数:

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