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还在为复杂的双MOSFET选型和电路匹配头疼吗？DMC4029SSD-13为您提供一站式高效解决方案！这颗集成了N和P沟道互补MOSFET的阵列芯片，能让您轻松构建紧凑的推挽或H桥驱动电路，显著简化PCB布局，节省宝贵空间。

它拥有高达40V的耐压和出色的电流承载能力，配合极低的导通电阻，能大幅降低开关损耗和发热，让您的电源管理或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。其符合汽车级AEC-Q101标准，确保在-55°C至150°C的严苛环境下稳定工作，可靠性无可挑剔。

无论是升级现有设计还是开发新产品，选择DMC4029SSD-13，就是选择用一颗芯片实现两颗器件的功能，同时获得更优的性能、更高的集成度和更快的开发速度，助您轻松赢得市场先机。

• 型号:DMC4029SSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 40V 9A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Ta），6.5A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 6A，10V，45 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8nC @ 4.5V，10.6nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060pF @ 20V，1154pF @ 20V
• 功率 - 最大值:1.8W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DMC4029SSD-13，Diodes产品一站式供应商。