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还在为电路板空间紧张和双MOSFET配对而头疼吗？DMC6070LFDH-7这颗高度集成的N沟道与P沟道MOSFET阵列芯片，就是为您量身打造的解决方案。它能将两个逻辑电平驱动的MOSFET完美整合在一个微小的封装内，让您轻松实现高效的同步整流、负载切换或电机驱动功能，大幅简化您的电路设计。

这颗芯片能为您做什么？它凭借60V的耐压和最高3.1A的持续电流能力，为您的中小功率应用提供强劲而可靠的开关性能。其关键优势在于极低的导通损耗和栅极电荷，这意味着更高的系统效率和更低的发热，让您的产品运行更凉爽、更持久。采用紧凑的3x3mm DFN封装，它能为您节省宝贵的PCB面积，是追求设备小型化、轻薄化的理想选择。

无论是升级现有设计还是开发创新产品，选择DMC6070LFDH-7，就是选择了一条通往更高性能、更优成本和更可靠品质的捷径。让它帮助您轻松跨越设计障碍，快速将创意转化为市场领先的产品。

• 型号:DMC6070LFDH-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:V-DFN3030-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 60V 3.1A 8VDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.1A，2.4A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:85 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.5nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:731pF @ 20V
• 功率 - 最大值:1.4W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-VDFN
• 供应商器件封装:V-DFN3030-8
• DMC6070LFDH-7，Diodes产品一站式供应商。