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还在为复杂的双MOSFET选型和布局头疼吗？让DMC6070LND-13为您化繁为简！这颗高度集成的N沟道与P沟道MOSFET阵列，将强劲的60V耐压、最高3.1A的驱动能力以及优异的开关性能，全部封装进一个微小的8-PowerVDFN空间内。

它能让您的DC-DC转换器、电机驱动或负载开关电路效率大幅提升，同时显著降低导通损耗和发热。其极低的栅极电荷和输入电容，确保了快速、干净的开关动作，让您的系统运行更高效、更稳定。选择它，就是选择了一种更省心、更高效的设计路径，轻松实现产品性能与可靠性的双重飞跃。

• 型号:DMC6070LND-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UXB 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 60V 3.1A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.1A，2.4A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:85 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.5nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:731pF @ 20V
• 功率 - 最大值:1.4W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UXB 类）
• DMC6070LND-13，Diodes产品一站式供应商。