我们为全球各个行业提供Diodes DMC6070LND-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能同时简化设计并提升性能的功率开关解决方案吗？DMC6070LND-7就是您的理想答案。这颗高度集成的MOSFET阵列，将N沟道和P沟道晶体管完美结合，为您提供高达60V的耐压和数安培的电流驱动能力，让您轻松应对电机驱动、电源切换和负载管理等关键任务。

它最大的魅力在于其高效与紧凑。极低的导通电阻（最大85毫欧）和栅极电荷（11.5nC）意味着更少的能量损耗和更快的开关速度，直接提升您的系统效率并降低温升。同时，超小的8-PowerVDFN封装为您节省宝贵的电路板空间，让产品设计更加纤薄精巧。无论是开发新一代的消费电子、物联网设备还是工业控制模块，选择DMC6070LND-7，就是选择了一条通往高性能、高可靠性的捷径。

• 型号:DMC6070LND-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UXB 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 60V 3.1A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.1A，2.4A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:85 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.5nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:731pF @ 20V
• 功率 - 最大值:1.4W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UXB 类）
• DMC6070LND-7，Diodes产品一站式供应商。