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还在为复杂的双路开关电路布局而烦恼吗？DMC67D8UFDBQ-13这颗汽车级互补MOSFET阵列芯片，就是为您简化设计、提升性能的终极利器。它将一个N沟道和一个P沟道MOSFET集成在微小的6-UDFN封装内，让您轻松实现节省超过50%板面积的同时，获得高达60V的耐压和强劲的电流驱动能力。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松构建高效、可靠的负载开关、电源路径管理和信号切换电路。其超低的导通电阻（最低72mΩ）意味着更少的能量损耗和发热，直接提升系统整体能效；而快速的开关特性则确保了精准的控制响应。无论是驱动小型电机、LED灯组，还是管理传感器供电，它都能稳定胜任。

更重要的是，它通过了严苛的AEC-Q101认证，工作温度横跨-55°C至150°C，专为应对汽车电子恶劣环境而打造。选择它，就是为您的产品赋予了汽车级的可靠性与耐久性，让您的设计在性能和成本之间找到完美平衡点。

• 型号:DMC67D8UFDBQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 60V/20V 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V，20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):390mA（Ta），2.9A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4Ohm @ 500mA，10V，72mOhm @ 3.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A，1.25V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.4nC @ 4.5V，7.3nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:41pF @ 25V，443pF @ 16V
• 功率 - 最大值:580mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（B 类）
• DMC67D8UFDBQ-13，Diodes产品一站式供应商。