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还在为电路中的微型开关选择而犹豫吗？让DMG1012T-7来为您轻松解决。这颗N沟道MOSFET专为空间受限、追求高效的应用而生，其SOT-523封装小巧至极，却能稳健处理高达630mA的电流，并以低至400毫欧的导通电阻大幅提升能效，显著降低功耗与温升。

它能让您的设计如虎添翼。极低的栅极电荷和输入电容确保了快速的开关速度，响应敏捷；1.8V的低驱动电压让它与现代低功耗MCU无缝协作，简化电路。无论是便携设备的电源路径管理，还是精密信号的通断控制，DMG1012T-7都能以出色的可靠性和宽广的工作温度范围，保障您产品的稳定运行与长久续航。

• 型号:DMG1012T-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):630mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.74 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±6V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:60.67 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:280mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
• DMG1012T-7，Diodes产品一站式供应商。