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还在为电路中的小信号开关效率低下而头疼吗？DMG1012TQ-7正是为您排忧解难的利器！这颗高性能N沟道MOSFET，能为您提供高效、可靠的开关控制。它凭借仅400毫欧的低导通电阻和极低的栅极电荷，让您的电路开关动作更快、能量损耗更少，从而显著提升整体能效。

它专为空间受限的设计而生，微型SOT-523封装让您轻松实现高密度PCB布局。无论是管理便携设备的电源路径，还是驱动精密的传感器模块，DMG1012TQ-7都能稳定胜任。其宽广的工作温度范围和车规级可靠性，更让您在设计汽车电子或工业应用时信心倍增，轻松应对各种挑战。

• 型号:DMG1012TQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):630mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.74 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±6V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:60.67 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:280mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
• DMG1012TQ-7，Diodes产品一站式供应商。