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还在为空间狭小的PCB布局和紧张的功耗预算而烦恼吗？DMG1012UW-7正是为您量身打造的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有20V的耐压和1A的连续电流能力，凭借其低至450毫欧的导通电阻，能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的便携设备续航更持久，运行更清凉。

它能让您的设计事半功倍。极低的栅极电荷和输入电容，意味着超快的开关响应，轻松应对高频PWM控制，提升系统整体效率与动态性能。无论是用作负载开关、电源转换，还是信号切换，它都能以SOT-323微型封装之躯，提供稳定可靠的高性能表现。

选择DMG1012UW-7，就是选择了一种高效、紧凑且可靠的电路设计路径。它让您能更专注于产品核心功能的创新，而将基础的电源管理与开关任务，交给这位值得信赖的“效率专家”。

• 型号:DMG1012UW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 600mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.74 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±6V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:60.67 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:290mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• DMG1012UW-7，Diodes产品一站式供应商。