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还在为寻找一款体积小巧、驱动简单且高效的P沟道MOSFET而烦恼吗？让DMG1013T-7来为您解决难题！这颗芯片能轻松担当起您电路中的负载开关、电源选择或信号切换重任。它仅需1.8V的低电压即可高效开启，最大程度降低驱动电路的复杂度与功耗，让您的设计更简洁，系统能效更高。

凭借其20V的耐压和460mA的持续电流能力，它能稳健地管理各类低压电源轨。超低的导通电阻意味着更少的能量以热量形式浪费，让您的设备运行更清凉、续航更持久。无论是用于便携设备的电源管理，还是集成在模块中进行信号隔离，DMG1013T-7都能以出色的性能，助您打造更可靠、更紧凑的电子产品。

• 型号:DMG1013T-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):460mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:700 毫欧 @ 350mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.622 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±6V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:59.76 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:270mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
• DMG1013T-7，Diodes产品一站式供应商。