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还在为复杂的电源管理电路占用宝贵板面积而头疼吗？DMG1013TQ-7正是您的理想答案。这颗P沟道MOSFET就像一个高效、精准的“电子开关”，能让您轻松控制电路中电源的通断。它专为空间受限的应用优化，采用超小的SOT-523封装，却能稳健处理高达20V的电压和460mA的电流，是便携设备和模块化设计的完美搭档。

它的核心价值在于“高效”与“易用”。极低的导通电阻（仅700毫欧）意味着更少的能量损耗和发热，直接为您提升终端产品的续航和可靠性。同时，其1.8V的低驱动电压让它可以被大多数微控制器直接驱动，无需额外的电平转换电路，大大简化了您的设计，让开发过程更顺畅。选择它，就是选择了一种更简洁、更可靠的电源管理方式。

• 型号:DMG1013TQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):460mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:700 毫欧 @ 350mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.58 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±6V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:59.76 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:270mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-523
• 封装/外壳:SOT-523
• DMG1013TQ-7，Diodes产品一站式供应商。